IXFT36N50P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT36N50P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 36.0 A
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 540 W
阈值电压 5 V
输入电容 5.50 nF
栅电荷 93.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 5500pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFT36N50P引脚图与封装图
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在线购买IXFT36N50P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT36N50P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXFT36N50P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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