IXA20I1200PB

IXYS SEMICONDUCTOR  IXA20I1200PB  单晶体管, IGBT, 33 A, 2.1 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚

IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列

IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。

高功率密度和低 VCEsat

方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压

短路容量，确保 10usec

正向通态电压温度系数

可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管

国际标准和专有高电压封装

欧时:
IXYS IXA20I1200PB N沟道 IGBT, 38 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-220封装

得捷:
IGBT 1200V 33A 130W TO220

e络盟:
单晶体管, IGBT, 33 A, 2.1 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 33A 130000mW 3-Pin3+Tab TO-220

Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXA20I1200PB  IGBT Single Transistor, 33 A, 1.8 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins