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IXFH88N30P

IXFH88N30P

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IXYS Semiconductor 分立器件

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™


立创商城:
N沟道 300V 88A


得捷:
MOSFET N-CH 300V 88A TO247AD


欧时:
### N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 300 V, 0.04 ohm, 10 V, 5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Verical:
Trans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH88N30P  MOSFET Transistor, N Channel, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 300V 88A TO-247


IXFH88N30P中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.04 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 600 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 88.0 A

上升时间 24 ns

反向恢复时间 200 ns

输入电容Ciss 6300pF @25VVds

额定功率Max 600 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

IXFH88N30P引脚图与封装图
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在线购买IXFH88N30P
型号 制造商 描述 购买
IXFH88N30P IXYS Semiconductor N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 搜索库存
替代型号IXFH88N30P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IXFH88N30P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247 N-Channel 300V 88A

当前型号

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

当前型号

型号： IXFK88N30P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-264 N-Channel 88A

完全替代

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFK88N30P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 V

IXFH88N30P和IXFK88N30P的区别

型号： IXTH88N30P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247-3

完全替代

通孔 N 通道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）

IXFH88N30P和IXTH88N30P的区别

型号： IXTQ88N30P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO N-Channel 88A

功能相似

IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ88N30P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 V

IXFH88N30P和IXTQ88N30P的区别