IXFH12N100F
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IXYS Semiconductor
晶体管
IXFH12N100F中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.05 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 1 kV
上升时间 9.8 ns
输入电容Ciss 2700pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 电源管理, Industrial, Power Management, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFH12N100F引脚图与封装图
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在线购买IXFH12N100F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH12N100F | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号IXFH12N100F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH12N100F 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247AD N-Channel | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
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| 型号： IRFPG30PBF 品牌： 威世 封装： TO-247-3 N-Channel 1000V 3.1A 5Ω | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IXFH12N100F和IRFPG30PBF的区别 |