IXFH16N80P
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IXYS Semiconductor
晶体管
IXFH16N80P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 460 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 4600pF @25VVds
额定功率Max 460 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFH16N80P引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH16N80P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH16N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 800 V, 600 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |