IXFN36N100
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IXYS Semiconductor
晶体管
IXFN36N100中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 36.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.24 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 1 kV
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 55 ns
隔离电压 2.50 kV
输入电容Ciss 9200pF @25VVds
额定功率Max 700 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 3
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
材质 Silicon
重量 46.0 g
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFN36N100引脚图与封装图
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在线购买IXFN36N100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN36N100 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN36N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号IXFN36N100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFN36N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 1kV 36A 240mΩ | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN36N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
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