IGW50N60T

INFINEON  IGW50N60T  单晶体管, IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

得捷:
IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT

立创商城:
IGW50N60T

欧时:
### IGBT 分立，Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 3-Pin3+Tab TO-247

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3; TRENCHSTOP™