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IDW40G65C5

IDW40G65C5

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IDW40G65C5  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基,

Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

### 二极管和整流器,Infineon

IDW40G65C5中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7 V

耗散功率 183 W

正向电流 40 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 182 A

正向电压Max 2.1 V

正向电流Max 40 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Motor Drive & Control, Power Management, Consumer Electronics, Lighting, Communications & Networking, Alternative Energy

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IDW40G65C5引脚图与封装图
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IDW40G65C5 Infineon 英飞凌 INFINEON  IDW40G65C5  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247 搜索库存