IPB136N08N3 G

Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON IPB136N08N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 80 V, 11.5 mohm, 10 V, 2.8 V

表面贴装型 N 通道 80 V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3

得捷:
MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK

贸泽:
MOSFET N-Ch 80V 45A D2PAK-2 OptiMOS 3

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

IPB136N08N3 G中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 11.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 79 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 1730pF @40VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 79W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPB136N08N3 G引脚图与封装图

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