IPW50R199CP
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPW50R199CP中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 139 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1800pF @100VVds
额定功率Max 139 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPW50R199CP引脚图与封装图
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在线购买IPW50R199CP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPW50R199CP | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPW50R199CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号IPW50R199CP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPW50R199CP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-247 N-Channel 500V 17A | 当前型号 | INFINEON IPW50R199CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
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| 型号： STB23NM50N 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK N-Channel | 功能相似 | N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IPW50R199CP和STB23NM50N的区别 |
| 型号： STP23NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel | 功能相似 | N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IPW50R199CP和STP23NM50N的区别 |