IPW50R190CE
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPW50R190CE中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 127 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 18.5A
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 1137pF @100VVds
额定功率Max 127 W
下降时间 7.5 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 127W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPW50R190CE引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPW50R190CE | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPW50R190CE 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V | 搜索库存 |