ISL12022MIBZ-T
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL12022MIBZ-T中文资料参数规格
技术参数
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.8V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 20
封装 SOIC-20
外形尺寸
宽度 7.6 mm
高度 2.35 mm
封装 SOIC-20
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL12022MIBZ-T引脚图与封装图
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在线购买ISL12022MIBZ-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL12022MIBZ-T | Intersil 英特矽尔 | 128字节电池保持SRAM,多种中断和频率输出 | 搜索库存 |
替代型号ISL12022MIBZ-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL12022MIBZ-T 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： SOIC 20Pin | 当前型号 | 128字节电池保持SRAM,多种中断和频率输出 | 当前型号 |
| 型号： ISL12022MIBZ 品牌： 英特矽尔 封装： 20Ld | 类似代替 | SRAM内部晶体自动温度补偿高精度5ppm | ISL12022MIBZ-T和ISL12022MIBZ的区别 |
| 型号： ISL12022MIBZ-TR5421 品牌： 英特矽尔 封装： SOIC-Wide-20 | 类似代替 | 128字节电池保持SRAM,多种中断和频率输出 | ISL12022MIBZ-T和ISL12022MIBZ-TR5421的区别 |
| 型号： ISL12022MIBZ-T7A 品牌： 英特矽尔 封装： 20-SOIC | 功能相似 | 低功耗RTC，带有电池供电的SRAM ，集成了± 5ppm的温度补偿和自动夏令 Low Power RTC with Battery Backed SRAM, Integrated ±5ppm Temperature Compensation and Auto Daylight Saving | ISL12022MIBZ-T和ISL12022MIBZ-T7A的区别 |