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ISL12022MIBZ

ISL12022MIBZ

数据手册.pdf
Intersil 英特矽尔 主动器件
ISL12022MIBZ中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 20

封装 SOIC-20

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 7.6 mm

高度 2.35 mm

封装 SOIC-20

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ISL12022MIBZ引脚图与封装图
ISL12022MIBZ引脚图

ISL12022MIBZ引脚图

ISL12022MIBZ封装图

ISL12022MIBZ封装图

ISL12022MIBZ封装焊盘图

ISL12022MIBZ封装焊盘图

在线购买ISL12022MIBZ
型号 制造商 描述 购买
ISL12022MIBZ Intersil 英特矽尔 SRAM内部晶体自动温度补偿高精度5ppm 搜索库存
替代型号ISL12022MIBZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ISL12022MIBZ

品牌: Intersil 英特矽尔

封装: 20Ld

当前型号

SRAM内部晶体自动温度补偿高精度5ppm

当前型号

型号: ISL12022MIBZ-T7A

品牌: 英特矽尔

封装: 20-SOIC

完全替代

低功耗RTC,带有电池供电的SRAM ,集成了± 5ppm的温度补偿和自动夏令 Low Power RTC with Battery Backed SRAM, Integrated ±5ppm Temperature Compensation and Auto Daylight Saving

ISL12022MIBZ和ISL12022MIBZ-T7A的区别

型号: ISL12022MIBZ-T

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC 20Pin

类似代替

128字节电池保持SRAM,多种中断和频率输出

ISL12022MIBZ和ISL12022MIBZ-T的区别

型号: ISL12022MIBZ-TR5421

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC-Wide-20

类似代替

128字节电池保持SRAM,多种中断和频率输出

ISL12022MIBZ和ISL12022MIBZ-TR5421的区别