工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 20
封装 SOIC-20
长度 13 mm
宽度 7.6 mm
高度 2.35 mm
封装 SOIC-20
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL12022MIBZ引脚图
ISL12022MIBZ封装图
ISL12022MIBZ封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ISL12022MIBZ | Intersil 英特矽尔 | SRAM内部晶体自动温度补偿高精度5ppm | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ISL12022MIBZ 品牌: Intersil 英特矽尔 封装: 20Ld | 当前型号 | SRAM内部晶体自动温度补偿高精度5ppm | 当前型号 | |
型号: ISL12022MIBZ-T7A 品牌: 英特矽尔 封装: 20-SOIC | 完全替代 | 低功耗RTC,带有电池供电的SRAM ,集成了± 5ppm的温度补偿和自动夏令 Low Power RTC with Battery Backed SRAM, Integrated ±5ppm Temperature Compensation and Auto Daylight Saving | ISL12022MIBZ和ISL12022MIBZ-T7A的区别 | |
型号: ISL12022MIBZ-T 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC 20Pin | 类似代替 | 128字节电池保持SRAM,多种中断和频率输出 | ISL12022MIBZ和ISL12022MIBZ-T的区别 | |
型号: ISL12022MIBZ-TR5421 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC-Wide-20 | 类似代替 | 128字节电池保持SRAM,多种中断和频率输出 | ISL12022MIBZ和ISL12022MIBZ-TR5421的区别 |