锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IDT71V416L10BEGI

IDT71V416L10BEGI

数据手册.pdf
Integrated Device Technology 艾迪悌 电子元器件分类

3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 256K ×16位) 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg 256K x 16-Bit

Description

The IDT71V416 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 256K x 16. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high speed memory needs.

Features

◆ 256K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆ JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise.

◆ Equal access and cycle times

   – Commercial and Industrial: 10/12/15ns

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Upper and Lower Byte Enable Pins

◆ Single 3.3V power supply

◆ Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ package and a 44-pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array, 9mm x 9mm package.

IDT71V416L10BEGI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 3A991

IDT71V416L10BEGI引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IDT71V416L10BEGI
型号 制造商 描述 购买
IDT71V416L10BEGI Integrated Device Technology 艾迪悌 3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 256K ×16位) 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg 256K x 16-Bit 搜索库存
替代型号IDT71V416L10BEGI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IDT71V416L10BEGI

品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌

封装:

当前型号

3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 256K ×16位) 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg 256K x 16-Bit

当前型号

型号: CY7C1041CV33-10BAXA

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA 3.3V

功能相似

SRAM(静态随机存取存储器)

IDT71V416L10BEGI和CY7C1041CV33-10BAXA的区别