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IS42VM32400G-6BLI-TR

IS42VM32400G-6BLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 128M 4Mx32 166MHz Mobile S动态随机存取存储器 1.8v

SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb(4M x 32) 并联 166 MHz 5.5 ns 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 128M 4Mx32 166MHz Mobile S动态随机存取存储器 1.8v


IS42VM32400G-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42VM32400G-6BLI-TR引脚图与封装图
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IS42VM32400G-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 128M 4Mx32 166MHz Mobile S动态随机存取存储器 1.8v 搜索库存
替代型号IS42VM32400G-6BLI-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42VM32400G-6BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

动态随机存取存储器 128M 4Mx32 166MHz Mobile S动态随机存取存储器 1.8v

当前型号

型号: IS42VM32400H-6BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

完全替代

128m, 1.8V, Mobile Sdram, 4mx32, 166MHz, 90 Ball Bga 8mmx13mm Rohs, It, t&r

IS42VM32400G-6BLI-TR和IS42VM32400H-6BLI-TR的区别