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IS42SM32800E-6BLI

IS42SM32800E-6BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

SDRAM - 移动 存储器 IC 256Mb(8M x 32) 并联 166 MHz 5.5 ns 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42SM32800E-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 95 mA

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IS42SM32800E-6BLI引脚图与封装图
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IS42SM32800E-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin TFBGA 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42SM32800E-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

当前型号

型号: IS42SM32800K-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

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