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IS42S16160D-6TL-TR

IS42S16160D-6TL-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 256M 16Mx16 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II


贸泽:
动态随机存取存储器 256M 16Mx16 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II T/R


IS42S16160D-6TL-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

长度 22.22 mm

宽度 10.16 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S16160D-6TL-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42S16160D-6TL-TR Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 256M 16Mx16 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v 搜索库存
替代型号IS42S16160D-6TL-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S16160D-6TL-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TSOP-54

当前型号

动态随机存取存储器 256M 16Mx16 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

当前型号

型号: IS42S16160G-6TL-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 54-TSOP

类似代替

DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II T/R

IS42S16160D-6TL-TR和IS42S16160G-6TL-TR的区别