IS42S32200E-7BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90Pin TFBGA T/R

SDRAM Memory IC 64Mb 2M x 32 Parallel 143MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA T/R

IS42S32200E-7BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 32

存取时间 5.50 ns

内存容量 8000000 B

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42S32200E-7BLI-TR引脚图与封装图

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