供电电流 130 mA
存取时间 5.4 ns
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 90
封装 BGA-90
封装 BGA-90
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS42S32400E-7BLI | Integrated Silicon SolutionISSI | 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS42S32400E-7BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 当前型号 | 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT | 当前型号 | |
型号: IS42S32400F-6BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 类似代替 | Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TWBGA-90 | IS42S32400E-7BLI和IS42S32400F-6BLI的区别 | |
型号: IS42S32400F-7BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: 90-BGA | 类似代替 | 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT | IS42S32400E-7BLI和IS42S32400F-7BLI的区别 | |
型号: IS42S32400E-6BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 类似代替 | 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT | IS42S32400E-7BLI和IS42S32400E-6BLI的区别 |