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IS42S16400F-7BLI

IS42S16400F-7BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 64M 4Mx16 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM Memory IC 64Mb 4M x 16 Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 64M 4Mx16 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V


安富利:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


IS42S16400F-7BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 110 mA

存取时间 7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 0.8 mm

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S16400F-7BLI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42S16400F-7BLI Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 64M 4Mx16 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V 搜索库存
替代型号IS42S16400F-7BLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S16400F-7BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 60BGA

当前型号

动态随机存取存储器 64M 4Mx16 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

当前型号

型号: IS42S16400J-7BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 54-TFBGA

功能相似

SDRAM, 4M x 16bit, 5.4ns, 并行接口, BGA-54

IS42S16400F-7BLI和IS42S16400J-7BLI的区别

型号: MT48LC4M16A2B4-75GTR

品牌: 镁光

封装:

功能相似

DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 4Mx16 3.3V 54Pin VFBGA T/R

IS42S16400F-7BLI和MT48LC4M16A2B4-75GTR的区别