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IS42S83200D-7TL

IS42S83200D-7TL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54Pin TSOP-II

SDRAM Memory IC 256Mb 32M x 8 Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II


Win Source:
32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM | IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP


IS42S83200D-7TL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 130 mA

位数 8

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S83200D-7TL引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42S83200D-7TL Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54Pin TSOP-II 搜索库存
替代型号IS42S83200D-7TL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S83200D-7TL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 54-TSOP

当前型号

DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54Pin TSOP-II

当前型号

型号: IS42S83200G-7TL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 54-TSOP

功能相似

Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

IS42S83200D-7TL和IS42S83200G-7TL的区别