IS45S32200E-7TLA1-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 64M 2Mx32 143MHz S动态随机存取存储器 3.3v

SDRAM Memory IC 64Mb 2M x 32 Parallel 143MHz 5.5ns 86-TSOP II

得捷:
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II

贸泽:
动态随机存取存储器 64M 2Mx32 143MHz S动态随机存取存储器 3.3v

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V Automotive 86-Pin TSOP-II T/R

安富利:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2M x 32 3.3V 86-Pin TSOP-II T/R

IS45S32200E-7TLA1-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 32

存取时间 7 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 86

封装 TSOP-86

外形尺寸

长度 22.42 mm

宽度 10.16 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-86

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS45S32200E-7TLA1-TR引脚图与封装图

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