IS45S32200E-7TLA2
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Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS45S32200E-7TLA2中文资料参数规格
技术参数
供电电流 140 mA
位数 32
存取时间Max 8ns, 5.5ns
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 86
封装 TSOP-86
外形尺寸
封装 TSOP-86
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IS45S32200E-7TLA2引脚图与封装图
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在线购买IS45S32200E-7TLA2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS45S32200E-7TLA2 | Integrated Silicon SolutionISSI | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V Automotive 86Pin TSOP-II | 搜索库存 |
替代型号IS45S32200E-7TLA2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS45S32200E-7TLA2 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-II | 当前型号 | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V Automotive 86Pin TSOP-II | 当前型号 |
| 型号： IS42S32200E-6TL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-II | 类似代替 | RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM | IS45S32200E-7TLA2和IS42S32200E-6TL的区别 |
| 型号： IS42S32200E-7TL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-II | 类似代替 | 动态 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM | IS45S32200E-7TLA2和IS42S32200E-7TL的区别 |
| 型号： IS42S32200E-7TLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 86-TFSOP | 类似代替 | 动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V | IS45S32200E-7TLA2和IS42S32200E-7TLI的区别 |