IS61LV51216-10TLI-TR
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Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS61LV51216-10TLI-TR中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
存取时间 10.0 ns
内存容量 8000000 B
电源电压 3.135V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP-44
外形尺寸
封装 TSOP-44
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IS61LV51216-10TLI-TR引脚图与封装图
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在线购买IS61LV51216-10TLI-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS61LV51216-10TLI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 10ns 44Pin TSOP-II T/R | 搜索库存 |
替代型号IS61LV51216-10TLI-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS61LV51216-10TLI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP 8000000B 3.3V 10ns | 当前型号 | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 10ns 44Pin TSOP-II T/R | 当前型号 |
| 型号： IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 44-TSOP | 功能相似 | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44Pin TSOP-II T/R | IS61LV51216-10TLI-TR和IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR的区别 |