IS42S32160A-75BL

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

IC SDRAM 512Mbit 133MHz 90BGA

SDRAM Memory IC Parallel 133MHz 6ns 90-LFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90LFBGA

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin LFBGA

Win Source:
4M Words x 32 Bits x 4 Banks 512-MBIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

IS42S32160A-75BL中文资料参数规格

技术参数

位数 32

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42S32160A-75BL引脚图与封装图

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