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IS42S32400B-7TL

IS42S32400B-7TL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 128M 4Mx32 143MHz Commercial Temp

SDRAM 存储器 IC 128Mb(4M x 32) 并联 143 MHz 5.4 ns 86-TSOP II


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II


贸泽:
动态随机存取存储器 128M 4Mx32 143MHz Commercial Temp


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II


Win Source:
IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 86TSOP


IS42S32400B-7TL中文资料参数规格
技术参数

频率 143 MHz

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 143MHz max

存取时间 5.4 ns

内存容量 16000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 86

封装 TFSOP-86

外形尺寸

长度 22.42 mm

宽度 10.16 mm

高度 1.05 mm

封装 TFSOP-86

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IS42S32400B-7TL引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42S32400B-7TL Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 128M 4Mx32 143MHz Commercial Temp 搜索库存
替代型号IS42S32400B-7TL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S32400B-7TL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 86-TFSOP 16000000B 3.3V 86Pin

当前型号

动态随机存取存储器 128M 4Mx32 143MHz Commercial Temp

当前型号

型号: IS42S32400F-7TL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 86-TSOP

完全替代

RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

IS42S32400B-7TL和IS42S32400F-7TL的区别

型号: IS42S32400F-6TL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TSOP-86

完全替代

128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86Pin TSOP II 400 mil RoHS

IS42S32400B-7TL和IS42S32400F-6TL的区别

型号: MT48LC4M32B2P-6:G

品牌: 镁光

封装: TSOP 16000000B 3.3V 167us 86Pin

功能相似

MICRON  MT48LC4M32B2P-6:G  芯片, SDRAM 128MB

IS42S32400B-7TL和MT48LC4M32B2P-6:G的区别