IS61LV25616AL-10KLI

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K X 16,10ns,3.3V,44Pin SOJ 400 Mil, Leadfree

SRAM - 异步存储器 IC 4Mb（256K x 16）并联 10 ns 44-SOJ

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

贸泽:
SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ

安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ

IS61LV25616AL-10KLI中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

位数 16

存取时间 10 ns

内存容量 4000000 B

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3.135 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 SOJ-44

外形尺寸

封装 SOJ-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS61LV25616AL-10KLI引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
IS61LV25616AL-10KLI	Integrated Silicon SolutionISSI	4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K X 16,10ns,3.3V,44Pin SOJ 400 Mil, Leadfree	搜索库存

替代型号IS61LV25616AL-10KLI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS61LV25616AL-10KLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： SOJ 4000000B 3.3V 10ns	当前型号	4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K X 16,10ns,3.3V,44Pin SOJ 400 Mil, Leadfree	当前型号
型号： CY7C1041DV33-10VXI 品牌：赛普拉斯封装： SOJ 500000B 3V 10ns 44Pin	功能相似	4兆位（ 256千× 16 ）静态RAM 4-Mbit 256 K × 16 Static RAM	IS61LV25616AL-10KLI和CY7C1041DV33-10VXI的区别
型号： IS61LV25616AL-10K 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： SOJ 4000000B 3.3V 10ns	功能相似	4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K X 16,10ns,3.3V,44Pin SOJ 400 Mil	IS61LV25616AL-10KLI和IS61LV25616AL-10K的区别
型号： CY7C1041CV33-10VC 品牌：赛普拉斯封装：	功能相似	256K ×16静态RAM 256K x 16 Static RAM	IS61LV25616AL-10KLI和CY7C1041CV33-10VC的区别