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IS42S32800B-6B

IS42S32800B-6B

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm

SDRAM Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA


Win Source:
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA


IS42S32800B-6B中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 166MHz max

存取时间 6.00 ns

内存容量 256000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

IS42S32800B-6B引脚图与封装图
IS42S32800B-6B引脚图

IS42S32800B-6B引脚图

IS42S32800B-6B封装图

IS42S32800B-6B封装图

IS42S32800B-6B封装焊盘图

IS42S32800B-6B封装焊盘图

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IS42S32800B-6B Integrated Silicon SolutionISSI 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm 搜索库存