IS42S32800B-6BL

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS

SDRAM Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

贸泽:
DRAM 256M 8Mx32 166Mhz

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin LFBGA

Win Source:
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA

IS42S32800B-6BL中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 166MHz max

位数 32

存取时间 5.5 ns

内存容量 256000000 B

存取时间Max 5.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 8 mm

高度 1.05 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS42S32800B-6BL引脚图与封装图

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IS42S32800B-6BL	Integrated Silicon SolutionISSI	256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS	搜索库存