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IS42S32200C1-55TL

IS42S32200C1-55TL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

IC SDRAM 64Mbit 183MHz 86TSOP

SDRAM 存储器 IC 64Mb(2M x 32) 并联 86-TSOP II


得捷:
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II


贸泽:
DRAM 64M 2Mx32 183Mhz


IS42S32200C1-55TL中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.45 V max

时钟频率 183MHz max

存取时间 5 ns

内存容量 64000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V

电源电压Max 3.45 V

电源电压Min 3.15 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-86

外形尺寸

长度 22.42 mm

宽度 10.16 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-86

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S32200C1-55TL引脚图与封装图
IS42S32200C1-55TL引脚图

IS42S32200C1-55TL引脚图

IS42S32200C1-55TL封装图

IS42S32200C1-55TL封装图

IS42S32200C1-55TL封装焊盘图

IS42S32200C1-55TL封装焊盘图

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