针脚数 3
漏源极电阻 0.47 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 66 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 6.80 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 630pF @100VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPD60R520CP | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPD60R520CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 650 V, 0.47 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPD60R520CP 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-252 N-Channel 600V 6.8A | 当前型号 | INFINEON IPD60R520CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 650 V, 0.47 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 | |
型号: IPD60R520C6BTMA1 品牌: 英飞凌 封装: | 类似代替 | DPAK N-CH 600V 8.1A | IPD60R520CP和IPD60R520C6BTMA1的区别 | |
型号: IPD60R520CPBTMA1 品牌: 英飞凌 封装: PG-TO252-3 N-CH 600V 6.8A | 类似代替 | DPAK N-CH 600V 6.8A | IPD60R520CP和IPD60R520CPBTMA1的区别 |