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IPB80N08S2L-07

IPB80N08S2L-07

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPB80N08S2L-07  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0063 ohm, 4.5 V, 1.6 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装（无铅）

超低 Rdson

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IPB80N08S2L-07中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0063 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 5400pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, Valves control, Solenoids control, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPB80N08S2L-07引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB80N08S2L-07 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPB80N08S2L-07  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0063 ohm, 4.5 V, 1.6 V 搜索库存
替代型号IPB80N08S2L-07
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPB80N08S2L-07

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-263 N-Channel 75V 80A

当前型号

INFINEON  IPB80N08S2L-07  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0063 ohm, 4.5 V, 1.6 V

当前型号

型号： STB76NF75

品牌： 意法半导体

封装： D2PAK N-CH 75V 80A

功能相似

80A,75V,N沟道功率MOSFET

IPB80N08S2L-07和STB76NF75的区别

型号： IPB80N08S2-07

品牌： 英飞凌

封装： TO-263 N-CH 75V 80A

功能相似

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson

IPB80N08S2L-07和IPB80N08S2-07的区别