ISL9011IRMMZ
数据手册.pdf
Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL9011IRMMZ中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 2
输出电压 3 V
输出电流 150mA, 300mA
跌落电压 0.125 V @ 150 mA, 0.3 V @ 300 mA, 0.25 V @ 300 mA, 0.2 V @ 300 mA
输入电压Max 6.5 V
输入电压Min 2.3 V
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
输入电压 2.3V ~ 6.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN-10
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.9 mm
封装 DFN-10
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL9011IRMMZ引脚图与封装图 
ISL9011IRMMZ引脚图
ISL9011IRMMZ封装图
ISL9011IRMMZ封装焊盘图
在线购买ISL9011IRMMZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL9011IRMMZ | Intersil 英特矽尔 | 双路LDO具有低噪声，低智商，和高PSRR Dual LDO with Low Noise, Low IQ, and High PSRR | 搜索库存 |
替代型号ISL9011IRMMZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL9011IRMMZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： DFN-10 | 当前型号 | 双路LDO具有低噪声，低智商，和高PSRR Dual LDO with Low Noise, Low IQ, and High PSRR | 当前型号 |
| 型号： ISL9011AIRMNZ 品牌： 英特矽尔 封装： DFN | 完全替代 | 双路LDO具有低噪声，低智商，和高PSRR Dual LDO with Low Noise, Low IQ, and High PSRR | ISL9011IRMMZ和ISL9011AIRMNZ的区别 |
| 型号： ISL9011AIRNCZ 品牌： 英特矽尔 封装： DFN | 完全替代 | IQ | ISL9011IRMMZ和ISL9011AIRNCZ的区别 |
| 型号： ISL9011AIRMGZ 品牌： 英特矽尔 封装： DFN-10 | 完全替代 | 双路LDO具有低噪声，低智商，和高PSRR Dual LDO with Low Noise, Low IQ, and High PSRR | ISL9011IRMMZ和ISL9011AIRMGZ的区别 |