ISL9000IRJMZ
数据手册.pdf
Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL9000IRJMZ中文资料参数规格
技术参数
输出电流 300 mA
输入电压 2.3V ~ 6.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN-10
外形尺寸
封装 DFN-10
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL9000IRJMZ引脚图与封装图 
ISL9000IRJMZ引脚图
ISL9000IRJMZ封装图
ISL9000IRJMZ封装焊盘图
在线购买ISL9000IRJMZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL9000IRJMZ | Intersil 英特矽尔 | 双路LDO具有低噪声，非常高PSRR ，低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ | 搜索库存 |
替代型号ISL9000IRJMZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL9000IRJMZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： 10-DFN | 当前型号 | 双路LDO具有低噪声，非常高PSRR ，低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ | 当前型号 |
| 型号： ISL9000AIRJMZ 品牌： 英特矽尔 封装： DFN-10 | 完全替代 | 双路LDO具有低噪声，极高的PSRR和低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR and Low IQ | ISL9000IRJMZ和ISL9000AIRJMZ的区别 |
| 型号： ISL9000IRJRZ-T 品牌： 英特矽尔 封装： 10-DFN | 完全替代 | 双路LDO具有低噪声，非常高PSRR ，低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ | ISL9000IRJMZ和ISL9000IRJRZ-T的区别 |
| 型号： ISL9000IRJCZ 品牌： 英特矽尔 封装： 10-DFN | 完全替代 | 双路LDO具有低噪声，非常高PSRR ，低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ | ISL9000IRJMZ和ISL9000IRJCZ的区别 |