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IPB60R199CP

IPB60R199CP

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPB60R199CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™CP 功率 MOSFET


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MOSFET N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP


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MOSFET N-CH 650V 16A TO-263


IPB60R199CP中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 139 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 16A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1520pF @100VVds

额定功率Max 139 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 139W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPB60R199CP引脚图与封装图
IPB60R199CP引脚图

IPB60R199CP引脚图

IPB60R199CP封装焊盘图

IPB60R199CP封装焊盘图

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