IRF6702M2DTR1PBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRF6702M2DTR1PBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 15A
输入电容Ciss 1380pF @15VVds
额定功率Max 2.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DirectFET? Isometric MA
外形尺寸
封装 DirectFET? Isometric MA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF6702M2DTR1PBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IRF6702M2DTR1PBF | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 30V 15A | 搜索库存 |