IRF9952QTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRF9952QTRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N+P
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.5A/2.3A
输入电容Ciss 190pF @15VVds
额定功率Max 2 W
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF9952QTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF9952QTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF9952QTRPBF | Infineon 英飞凌 | SOIC N+P 30V 3.5A/2.3A | 搜索库存 |
替代型号IRF9952QTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF9952QTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC N+P | 当前型号 | SOIC N+P 30V 3.5A/2.3A | 当前型号 |
| 型号： AUIRF9952QTR 品牌： 英飞凌 封装： 8-SOIC N+P | 完全替代 | SOIC N+P 30V 3.5A/2.3A | IRF9952QTRPBF和AUIRF9952QTR的区别 |