IRF7342QTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7342QTRPBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 P-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 3.4A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 690pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF7342QTRPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7342QTRPBF | Infineon 英飞凌 | SOIC P-CH 55V 3.4A | 搜索库存 |
替代型号IRF7342QTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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