IRF7105QTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRF7105QTRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N+P
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 3.5A/2.3A
输入电容Ciss 330pF @15VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF7105QTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF7105QTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7105QTRPBF | Infineon 英飞凌 | SOIC N+P 25V 3.5A/2.3A | 搜索库存 |
替代型号IRF7105QTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7105QTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC N+P | 当前型号 | SOIC N+P 25V 3.5A/2.3A | 当前型号 |
| 型号： IRF7105TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 25V 3.5A 2.3A | 类似代替 | INFINEON IRF7105TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 25 V, 0.083 ohm, 10 V, 3 V | IRF7105QTRPBF和IRF7105TRPBF的区别 |