IRF7309QTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRF7309QTRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N+P
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4A/3A
输入电容Ciss 520pF @15VVds
额定功率Max 1.4 W
耗散功率Max 1.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF7309QTRPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IRF7309QTRPBF | Infineon 英飞凌 | SOIC N+P 30V 4A/3A | 搜索库存 |