IRF9952TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRF9952TR中文资料参数规格
技术参数
极性 N+P
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.5A/2.3A
输入电容Ciss 190pF @15VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF9952TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF9952TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF9952TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC N+P | 当前型号 | SOIC N+P 30V 3.5A/2.3A | 当前型号 |
| 型号： IRF9952TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-Channel 30V 3.5A 2.3A | 类似代替 | INFINEON IRF9952TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1 V | IRF9952TR和IRF9952TRPBF的区别 |