IRF7901D1TR

Infineon(英飞凌) 分立器件

SOIC N-CH 30V 6.2A

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.2A 2W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC T/R

Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC

IRF7901D1TR中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.2A

输入电容Ciss 780pF @16VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF7901D1TR引脚图与封装图

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