IRF7389TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRF7389TR中文资料参数规格
技术参数
极性 N+P
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7.3A/5.3A
输入电容Ciss 650pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7389TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7389TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7389TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC N+P | 当前型号 | SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A | 当前型号 |
| 型号： IRF7389TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N+P 30V 7.3A 5.3A | 完全替代 | INFINEON IRF7389TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7.3 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V | IRF7389TR和IRF7389TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7319TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N+P 30V 6.5A 4.9A | 类似代替 | INFINEON IRF7319TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V | IRF7389TR和IRF7319TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7389PBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-Channel 30V 7.3A 5.3A | 类似代替 | N/P 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N/P 通道配置。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF7389TR和IRF7389PBF的区别 |