极性 P-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.9A
输入电容Ciss 710pF @25VVds
额定功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7316TR 品牌: Infineon 英飞凌 封装: 8-SOIC P-CH | 当前型号 | SOIC P-CH 30V 4.9A | 当前型号 | |
型号: AUIRF7316Q 品牌: 英飞凌 封装: 8-SOIC P-CH 30V 4.9A | 完全替代 | INFINEON AUIRF7316Q 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 V | IRF7316TR和AUIRF7316Q的区别 | |
型号: IRF7316QTRPBF 品牌: 英飞凌 封装: 8-SOIC P-CH | 完全替代 | SOIC P-CH 30V 4.9A | IRF7316TR和IRF7316QTRPBF的区别 | |
型号: IRF7316TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: SOIC Dual P-Channel 30V 4.9A | 类似代替 | INFINEON IRF7316TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 V | IRF7316TR和IRF7316TRPBF的区别 |