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IRF7316TR
Infineon(英飞凌) 主动器件

SOIC P-CH 30V 4.9A

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC


IRF7316TR中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.9A

输入电容Ciss 710pF @25VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF7316TR引脚图与封装图
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IRF7316TR Infineon 英飞凌 SOIC P-CH 30V 4.9A 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF7316TR

品牌: Infineon 英飞凌

封装: 8-SOIC P-CH

当前型号

SOIC P-CH 30V 4.9A

当前型号

型号: AUIRF7316Q

品牌: 英飞凌

封装: 8-SOIC P-CH 30V 4.9A

完全替代

INFINEON  AUIRF7316Q  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 V

IRF7316TR和AUIRF7316Q的区别

型号: IRF7316QTRPBF

品牌: 英飞凌

封装: 8-SOIC P-CH

完全替代

SOIC P-CH 30V 4.9A

IRF7316TR和IRF7316QTRPBF的区别

型号: IRF7316TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: SOIC Dual P-Channel 30V 4.9A

类似代替

INFINEON  IRF7316TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 V

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