IRF7530TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7530TR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 5.40 A
极性 N-CH
耗散功率 1.30 W
产品系列 IRF7530
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 5.40 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1310pF @15VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 16 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7530TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7530TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7530TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-TSSOP N-CH 20V 5.4A | 当前型号 | Micro N-CH 20V 5.4A | 当前型号 |
| 型号： IRF7530TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： µSOIC N-Channel 20V 5.4A | 类似代替 | INFINEON IRF7530TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V 新 | IRF7530TR和IRF7530TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7530PBF 品牌： 英飞凌 封装： Micro N-CH 20V 5.4A | 功能相似 | Micro N-CH 20V 5.4A | IRF7530TR和IRF7530PBF的区别 |
| 型号： IRF7530 品牌： 英飞凌 封装： Micro N-CH 20V 5.4A | 功能相似 | Micro N-CH 20V 5.4A | IRF7530TR和IRF7530的区别 |