IRF7507TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRF7507TR中文资料参数规格
技术参数
额定电流 2.40 A
漏源极电阻 270 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.25 W
产品系列 IRF7507
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 2.40 A
输入电容Ciss 260pF @15VVds
额定功率Max 1.25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7507TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7507TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7507TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-TSSOP N-Channel 2.4A 1.25W | 当前型号 | Micro N+P 20V 2.4A/1.7A | 当前型号 |
| 型号： IRF7507TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N+P 20V 2.4A 1.7A | 功能相似 | INFINEON IRF7507TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.4 A, 20 V, 0.085 ohm, 4.5 V, 700 mV | IRF7507TR和IRF7507TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7507PBF 品牌： 英飞凌 封装： 8-TSSOP N+P 20V 2.4A 1.7A | 功能相似 | Micro N+P 20V 2.4A/1.7A | IRF7507TR和IRF7507PBF的区别 |