IPI052NE7N3 G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPI052NE7N3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5.2 mΩ
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
上升时间 11 nS
输入电容Ciss 4750pF @37.5VVds
下降时间 8 nS
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPI052NE7N3 G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IPI052NE7N3 G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3 | 搜索库存 |