IPI023NE7N3 G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 75 V
输入电容Ciss 14400pF @37.5VVds
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPI023NE7N3 G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 | 搜索库存 |