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IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

表面贴装型 N 通道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-3


得捷:
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3


IPB097N08N3 G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 80 V

输入电容Ciss 2410pF @40VVds

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB097N08N3 G引脚图与封装图
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IPB097N08N3 G Infineon 英飞凌 MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 搜索库存