IPB065N15N3GE8187ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

N-Channel 150V 130A Tc 300W Tc Surface Mount PG-TO263-7

得捷:
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Win Source:
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

IPB065N15N3GE8187ATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 150 V

输入电容Ciss 7300pF @75VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB065N15N3GE8187ATMA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IPB065N15N3GE8187ATMA1

型号	制造商	描述	购买
IPB065N15N3GE8187ATMA1	Infineon 英飞凌	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7	搜索库存